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科技會報

三星突破瓶颈,成功量产 16Gb LPDDR5 记忆体晶片


Samsung 16GB LPDDR5

Samsung

三星宣布他们成功在第三代 10nm 级制程工艺上,利用极紫外光刻印技术量产出业界首批 16Gb LPDDR5 记忆体晶片,显示他们突破了量产高阶晶片的瓶颈。做为成果,他们的 16GB 记忆体组的厚度将会比现时 12Gb 版本的减少 30%,同时其传输速度也有 16% 的提升,达 6.4Gbps,让日后的手机产品可以更薄更快。

在新闻稿中,三星表示他们的记忆体产品是旗舰机型的最佳选择,同时也透露了想要把 LPDDR5 产品带到车用产品的领域里,让车载系统的速度和能力可以提高。